[实用新型]一种湿刻装置和湿刻设备有效
| 申请号： | 201320346494.X | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN203339121U | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘耀;丁向前;李梁梁;白金超;赵亮;郭总杰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种湿刻装置，包括：刻蚀室；位于刻蚀室的出口处、且安装于刻蚀室的内壁的气帘；安装于刻蚀室的内壁、对气帘的出气口进行清洗的清洗装置。本实用新型提供的湿刻装置，可以对刻蚀室出口处的气帘的出气口进行清洗，可以将凝结在气帘的出气口处的酸结晶清洗掉，避免酸的结晶砸在光阻胶上，导致光阻胶断开。所以，上述湿刻装置，可以减少信号线断路现象的发生。另外，本实用新型还提供了一种湿刻设备，提高了基板的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 装置 设备 | ||
【主权项】：
一种湿刻装置，其特征在于，包括： 刻蚀室； 位于所述刻蚀室的出口处、且安装于所述刻蚀室的内壁的气帘； 安装于所述刻蚀室的内壁、对所述气帘的出气口进行清洗的清洗装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
