[实用新型]用于外延沉积III-V材料层的反应腔

摘要

本实用新型涉及半导体制作技术设备，是一种用于外延沉积III-V材料层的反应腔，所述反应腔包括：腔体；设置于所述腔体底部的加热器；位于所述加热器上方的衬底托盘；以及设置于所述腔体顶部，并与所述衬底托盘相对设置的喷淋头，所述喷淋头与所述衬底托盘之间限定为反应区，所述喷淋头用于往所述反应区喷射反应气体；所述喷淋头包括III族源扩散腔、V族源扩散腔和油冷却腔，所述III族源扩散腔和所述V族源扩散腔设置在所述油冷却腔背离所述加热器的一侧。本实用新型能扩大沉积气源的输出温度范围内调整，可避免沉积气源在喷淋头出气面上形成疏松沉积物而容易脱落污染衬底，能适应现有工艺要求。

主权项

一种用于外延沉积III‑V材料层的反应腔，所述反应腔包括：腔体；设置于所述腔体底部的加热器；位于所述加热器上方的衬底托盘；以及设置于所述腔体顶部，并与所述衬底托盘相对设置的喷淋头，所述喷淋头与所述衬底托盘之间限定为反应区，所述喷淋头用于往所述反应区喷射反应气体；其特征在于，所述喷淋头包括III族源扩散腔、V族源扩散腔和油冷却腔，所述III族源扩散腔和所述V族源扩散腔设置在所述油冷却腔背离所述加热器的一侧。