[实用新型]一种半导体芯片有效
| 申请号： | 201320365531.1 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN203337021U | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李志锋;文冲 | 申请（专利权）人： | 西安恒亮电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | F42B3/13 | 分类号： | F42B3/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种半导体芯片，包括单晶片，在单晶片上用热氧化法生长一层SiO2绝缘隔离层膜，在SiO2绝缘隔离层膜上沉积生长一层多晶硅膜，在多晶硅膜上镀铝后通过刻蚀工艺形成与外电极连接所需的焊盘，在单晶片的中部设有半导体桥区，当向半导体芯片施加一快速电脉冲时，具有负电阻温度系数的硅条使电流急剧增加，导致半导体桥区迅速气化，接着电流通过硅蒸汽产生热等离子体，以微对流的方式渗入火炸药中使之燃烧或爆炸，本实用新型具有起爆后作用时间短，且作用时间精度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，包括单晶片（4），其特征在于：在单晶片（4）上用热氧化法生长一层SiO2绝缘隔离层膜（3），在SiO2绝缘隔离层膜（3）上沉积生长一层多晶硅膜（2），在多晶硅膜（2）上镀铝膜,通过刻蚀工艺形成与外电极连接所需的焊盘（1），在单晶片（4）的中部设有半导体桥区（5）。
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