[实用新型]三英寸镀镍硅片用不锈钢烧结花篮有效
| 申请号： | 201320367256.7 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN203300617U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陈春香;杨怀 | 申请（专利权）人： | 南通皋鑫电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226502 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及硅片用花篮，具体涉及一种三英寸镀镍硅片用不锈钢烧结花篮。它包括篮体、底框、提手框和防护框，篮体上开有卡槽，篮体两侧上端连有提手框，底框连接在篮体下面，防护框位于篮体外侧中间，且连接在篮体两边，篮体上端向外张开，篮体上卡槽数量为25个。本实用新型的优点是转换硅片时方便，提高工作效率，充分利用烧结炉恒温区，节省能源。 | ||
| 搜索关键词： | 英寸 硅片 不锈钢 烧结 花篮 | ||
【主权项】：
三英寸镀镍硅片用不锈钢烧结花篮，它包括篮体、底框、提手框和防护框，篮体上开有卡槽，篮体两侧上端连有提手框，底框连接在篮体下面，防护框位于篮体外侧中间，且连接在篮体两边，其特征是篮体上端向外张开，篮体上卡槽数量为25个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
