[实用新型]一种FPGA片上SRAM电源有效
| 申请号： | 201320382613.7 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN203301367U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 何弢 | 申请（专利权）人： | 成都鸿芯纪元科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人： | 李高峡 |
| 地址： | 610041 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种FPGA片上SRAM电源：包括用于提供1.2V和1.8V的双基准电压的参考电压电路、用于检测SRAM电源电压值和1.2V基准电压并产生数字逻辑输出的电压检测器、用于抑制或补偿SRAM的电源电压并提高SRAM电源电压的驱动能力的电压比较器、用于产生电压泵输出电压的有效VCLK时钟信号的环形振荡器、用于为全芯片的SRAM单元提供3.3V的电源支持的电荷泵；参考电压电路连接电压检测器，电压检测器连接环形振荡器和SRAM单元，电压比较器连接电荷泵，环形振荡器连接电荷泵，电荷泵为SRAM单元提供工作电源；本实用新型能降低FPGA片上SRAM存储器的动态开关功耗和静态直流功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fpga sram 电源 | ||
【主权项】：
一种FPGA片上SRAM电源，其特征在于：包括用于提供1.2V和1.8V的双基准电压的参考电压电路、用于检测SRAM电源电压值和1.2V基准电压并产生数字逻辑输出的电压检测器、用于抑制或补偿SRAM的电源电压并提高SRAM电源电压的驱动能力的电压比较器、用于产生电压泵输出电压的有效VCLK时钟信号的环形振荡器、用于为全芯片的SRAM单元提供3.3V的电源支持的电荷泵；所述参考电压电路连接电压检测器，所述电压检测器连接环形振荡器和SRAM单元，所述电压比较器连接电荷泵，所述环形振荡器连接电荷泵，所述电荷泵为SRAM单元提供工作电源。
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