[实用新型]一种用于防反接的N 沟道MOS 管栅极悬浮驱动电路有效

专利信息
申请号: 201320385065.3 申请日: 2013-06-28
公开(公告)号: CN203368306U 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 伍春生;陈朋;张志胜 申请(专利权)人: 江苏浩峰汽车附件有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 何学成
地址: 213000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种用于防反接的N沟道MOS管栅极悬浮驱动电路,包括高频脉冲生成电路、充电电路、放电电路以及电容C1,高频脉冲生成电路将低压的高频脉冲信号转换成电源电平的高频脉冲信号,用以给电容C1充放电;充电电路通过C1对N沟道MOS管的栅极进行充电;放电电路用于在电源反接时,对N沟道MOS管的栅极进行放电。本实用新型通过驱动电路对N沟道MOS管的驱动,在正向导通时,N沟道MOS管导通,系统损耗小,而在电源反接时,驱动N沟道MOS管关断,减小对系统的冲击,降低系统产生的干扰,同时也对N沟道MOS管起到保护作用,延长系统及N沟道MOS管的使用寿命。
搜索关键词: 一种 用于 反接 沟道 mos 栅极 悬浮 驱动 电路
【主权项】:
一种用于防反接的N沟道MOS管栅极悬浮驱动电路,连接于电源正端的N沟道MOS管,N沟道MOS管的源极与电源正端连接,其特征在于,该悬浮驱动电路包括高频脉冲生成电路、充电电路、放电电路以及电容C1,所述高频脉冲生成电路将低压的高频脉冲信号转换成电源电平的高频脉冲信号,用以给电容C1充放电;所述充电电路通过C1对N沟道MOS管的栅极进行充电;所述放电电路用于在电源反接时,对N沟道MOS管的栅极进行放电。
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