[实用新型]一种容量为64M×32bit的立体封装DDR1存储器有效
| 申请号： | 201320387583.9 | 申请日： | 2013-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN203423176U | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王烈洋;黄小虎;蒋晓华;颜军 | 申请（专利权）人： | 珠海欧比特控制工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519080 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种容量为64M×32bit的立体封装DDR1存储器，包括两个容量为64M×16bit的DDR1芯片，其特征在于，还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和两个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，两个DDR1芯片分别一一对应地设置在两个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和两个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和两个芯片层上露出的电气连接引脚进行对应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 容量 64 32 bit 立体 封装 ddr1 存储器 | ||
【主权项】：
一种容量为64M×32bit的立体封装DDR1存储器，包括两个容量为64M×16bit的DDR1芯片，其特征在于，还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和两个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，两个DDR1芯片分别一一对应地设置在两个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和两个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和两个芯片层上露出的电气连接引脚进行对应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
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