[实用新型]一种抑制高频干扰的MOSFET的驱动电路有效
| 申请号： | 201320388704.1 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN203313046U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 雷蕾;李少华;孙佰仲;周黎辉;叶翔;邢洪涛 | 申请（专利权）人： | 中国大唐集团科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100032 北京市西城区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型一种抑制高频干扰的MOSFET的驱动电路，包括LM5102芯片，LM5102芯片的管脚HO和管脚LO输出相应的电平波形来控制三相交流电机桥式电路半桥上的两个MOSFET，LM5102芯片的管脚HI通过电阻R1连接信号输入源，且LM5102芯片的管脚HI还通过电容C1接地；LM5102芯片的管脚LI通过电阻R2连接信号输入源，且LM5102芯片的管脚LI还通过电容C2接地。其目的在于提供一种结构简单、有效滤除输入中的高频信号的抑制高频干扰的MOSFET的驱动电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 高频 干扰 mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种抑制高频干扰的MOSFET的驱动电路，包括LM5102芯片，LM5102芯片的管脚HO和管脚LO输出相应的电平波形来控制三相交流电机桥式电路半桥上的两个MOSFET，其特征在于：LM5102芯片的管脚HI通过电阻R1连接信号输入源，且LM5102芯片的管脚HI还通过电容C1接地；LM5102芯片的管脚LI通过电阻R2连接信号输入源，且LM5102芯片的管脚LI还通过电容C2接地。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
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H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
