[实用新型]低剩磁高导磁互感器有效
申请号: | 201320389752.2 | 申请日: | 2013-07-02 |
公开(公告)号: | CN203406156U | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 周岳炜 | 申请(专利权)人: | 常州三恒电器有限公司 |
主分类号: | H01F38/20 | 分类号: | H01F38/20;H01F27/02;H01F1/14 |
代理公司: | 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 | 代理人: | 沈兵 |
地址: | 213000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及互感器技术领域,尤其是一种低剩磁高导磁互感器。一种低剩磁高导磁互感器,包括外壳底、外壳盖、插针和线圈,所述外壳底上设有外壳盖,所述外壳盖内设有线圈,所述外壳底下方设有插针,所述外壳底和外壳盖采用铁基纳米晶材料制造。这种低剩磁高导磁互感器,产品采用铁基纳米晶材料,保证了互感器在使用范围内的导磁率,铁芯经高温横向磁场退火处理,保证的产品的剩磁和产品性能的稳定,此种互感器可以抗一定的直流,互感器在直流的磁化下,互感器还可以保持一定的磁性能,适用于A型漏电断路器的适用场合,使用效果良好。 | ||
搜索关键词: | 剩磁 高导磁 互感器 | ||
【主权项】:
一种低剩磁高导磁互感器,包括外壳底(1)、外壳盖(2)、插针(3)和线圈(4),所述外壳底(1)上设有外壳盖(2),所述外壳盖(2)内设有线圈(4),所述外壳底(1)下方设有插针(3),其特征是,所述外壳底(1)和外壳盖(2)采用铁基纳米晶材料制造。
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