[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320393302.0 | 申请日: | 2013-07-03 |
公开(公告)号: | CN203312296U | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 阎长江;张家祥;郭建;谢振宇;陈旭 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张恺宁 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种阵列基板及显示装置,所述阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元,所述薄膜晶体管单元包括:位于衬底基板之上的第一栅极,位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层,位于所述栅极绝缘层之上且与所述第一栅极位置相对的有源层,位于所述有源层之上的源极和漏极,所述源极和漏极之间设置有间隙,以及位于所述源极和漏极之上的感光树脂钝化层。对比于现有技术,本实用新型的阵列基板在制造过程中,省去了沟道保护层工序,大大简化了生产工艺,有效地降低了生产成本,同时提高了产品的良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板和位于所述衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元,其中,所述薄膜晶体管单元包括:位于所述衬底基板之上的第一栅极,位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层,位于所述栅极绝缘层之上且与所述第一栅极位置相对的有源层,位于所述有源层之上的源极和漏极,所述源极和漏极之间设置有间隙,以及位于所述源极和漏极之上的感光树脂钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的