[实用新型]一种高效释放电路结构有效
| 申请号： | 201320394625.1 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN203313051U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 郑方耀 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区华波电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/32 | 分类号： | H02M1/32 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高效释放电路结构，其特征在于：包括一NPN型三极管和一N型MOS场效应管，N型MOS场效应管的漏极通过第四电阻后分出两路，其中一路通过第三电容接地，N型MOS场效应管的源极接地，N型MOS场效应管的栅极与NPN型三极管的集电极连接，NPN型三极管的发射极接地，NPN型三极管的基极分出两路，一路通过第一电阻接地，另一路通过第二电阻分出两路，一路与电源连接，另一路通过第二二极管后分出两路，一路通过第二电容接地，另一路通过第三电阻与NPN型三极管的集电极连接，所述第二二极管由电源向第三电阻方向导通。本实用新型在打开电源后不接通第四电阻，而关闭电源后自动接通第四电阻释放第三电容的电荷，提高了开机状态下的效率，节约了能源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 释放 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种高效释放电路结构，其特征在于：包括一NPN型三极管和一N型MOS场效应管，N型MOS场效应管的漏极通过第四电阻后分出两路，其中一路通过第三电容接地，N型MOS场效应管的源极接地，N型MOS场效应管的栅极与NPN型三极管的集电极连接，NPN型三极管的发射极接地，NPN型三极管的基极分出两路，一路通过第一电阻接地，另一路通过第二电阻分出两路，一路与电源连接，另一路通过第二二极管后分出两路，一路通过第二电容接地，另一路通过第三电阻与NPN型三极管的集电极连接，所述第二二极管由电源向第三电阻方向导通。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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