[实用新型]一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备

摘要

实用新型提供一种改进碳化硅外延片均匀性的设备，可用来生长厚度均匀的碳化硅外延片。通过在反应腔体的气流下方安装一个弧形气流阻挡环，然后将碳化硅衬底置于支撑台上，再将反应腔体内加热到外延所需温度，通入反应气体和载气，最终在碳化硅衬底上形成碳化硅外延层。通过本实用新型提供的设备制得的碳化硅外延片厚度更均匀，且装置简单，为改善传统设备最可行和最为廉价的方法，不需要过多的成本投入，利于工业化生产。

主权项

一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备，设备腔体由内向外依次为石墨支撑台、石墨软毡层、石英壁层和加热感应线圈，所述设备腔体还包括一个固定于石墨支撑台上弧形气流阻挡环。