[实用新型]采用增强型PMOSFET检查电极的踩踏式报警器有效
申请号: | 201320399451.8 | 申请日: | 2013-07-06 |
公开(公告)号: | CN203311557U | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 曾艺 | 申请(专利权)人: | 杨苗 |
主分类号: | G08B13/10 | 分类号: | G08B13/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 402373*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 采用增强型PMOSFET检查电极的踩踏式报警器是一种能够同时检查行、列电极的踩踏式报警器,包括一个踩踏式报警器以及一组增强型PMOSFET;其中,串入并出电路的各个并行输出端依次经过一个二极管、一根行电极以后再与一个下拉电阻以及一个增强型PMOSFET的栅极并联,这些PMOSFET的漏极依序与各根列电极一一连接,列电极的另一端依序连接到并入串进电路的各个并行输入端,还各自连接一个下拉电阻,这些PMOSFET的源极都连接到一个增强型PMOSFET的漏极,该个增强型PMOSFET的栅极连接到单片机的一根输出口线,它的源极连接到电源电压,它的栅极与其源极之间并联有栅极偏置电阻。用于防盗报警。 | ||
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【主权项】:
一种采用增强型PMOSFET检查电极的踩踏式报警器,包括一个踩踏式报警器、一组二极管、一组下拉电阻、一个栅极偏置电阻以及一组增强型PMOSFET;其中,踩踏式报警器包括列电极组、行电极组、单片机系统、串入并出电路、并入串进电路、音乐电路以及电源,列电极组和行电极组被分别安排在一个长方形框架的上部和底部,由该框架的两侧绝缘隔离并支撑着,每一组电极由彼此独立、间距均匀、裸露的导线组成,两组导线排列的方向相互垂直,单片机系统包括一块单片机及其晶振电路和上电复位电路、程序存储器以及随机存储器,单片机的输出口线P3.7连接到音乐电路的输入端,串入并出电路的时钟输入端与串行数据输入端、并入串进电路的时钟输入端与数据预置端各自连接到单片机的一根输出口线,并入串进电路的串行数据输出端连接到单片机的一根输入口线,电源供电各部分电路;其特征是:串入并出电路的每个并行输出端依次经过一个二极管、一根行电极以后再与一个下拉电阻以及一个增强型PMOSFET的栅极并联,这些增强型PMOSFET的漏极依序与各根列电极一一连接,列电极的另一端依序连接到并入串进电路的各个并行输入端,还各自连接一个下拉电阻,这些增强型PMOSFET的的源极都连接到一个增强型PMOSFET的漏极,该个PMOSFET的栅极连接到单片机的一根输出口线P3.0,它的源极连接到电源电压,它的栅极与源极之间并联有栅极偏置电阻。
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