[实用新型]一种沟槽型IGBT器件

摘要

本实用新型公开了一种沟槽型IGBT器件，包括集电区，所述集电区上依次设有第一低寿命高复合层、缓冲区、第二低寿命高复合层及漂移区，所述漂移区内设有第一沟槽、第二沟槽以及位于第一沟槽与第二沟槽之间的中间阱区，所述中间阱区在上表面处设有凹槽；所述中间阱区分别与第一沟槽的底部和第二沟槽的底部持平，所述凹槽的底部为平面，所述凹槽的深度小于中间阱区的深度，所述凹槽与第一沟槽和第二沟槽均不邻接，所述凹槽的底部上设有平面假栅结构，所述平面假栅结构的厚度不大于凹槽的深度。本实用新型既降低了器件的开关时间及开关损耗，又提高了器件的抗闩锁能力，又具有较强的抗短路能力，可广泛应用于半导体行业中。

主权项

一种沟槽型IGBT器件，其特征在于，包括集电区（101），所述集电区（101）上依次设有第一低寿命高复合层（110a）、缓冲区（102）、第二低寿命高复合层（110b）及漂移区（103），所述漂移区（103）内设有第一沟槽、第二沟槽以及位于第一沟槽与第二沟槽之间的中间阱区（109），所述中间阱区（109）在上表面处设有凹槽；所述中间阱区（109）分别与第一沟槽的底部和第二沟槽的底部持平，所述凹槽的底部为平面，所述凹槽的深度小于中间阱区（109）的深度，所述凹槽与第一沟槽和第二沟槽均不邻接，所述凹槽的底部上设有平面假栅结构（108），所述平面假栅结构（108）的厚度不大于凹槽的深度；所述漂移区（103）内还设有第一阱区（104a）及第二阱区（104b），所述第一阱区（104a）的表面设有第一源区（105a），所述第二阱区（104b）的表面设有第二源区（105b），所述第一阱区（104a）及第一源区（105a）均与第一沟槽的一侧邻接，所述第一沟槽的另一侧与中间阱区（109）邻接，所述第二沟槽的一侧与中间阱区（109）邻接，所述第二沟槽的另一侧分别与第二阱区（104b）及第二源区（105b）邻接；所述集电区（101）为P型重掺杂区，所述缓冲区（102）为N型重掺杂区，所述漂移区（103）为N型轻掺杂区，所述第一阱区（104a）、第二阱区（104b）及中间阱区（109）均为P型轻掺杂区，所述第一源区（105a）及第二源区（105b）均为N型重掺杂区。