[实用新型]一种真空封装的CMOS和MEMS芯片有效
| 申请号： | 201320405093.7 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN203377207U | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 付世 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/8238;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种真空封装的CMOS和MEMS芯片，集成电路衬底层、结构层、封盖层。结构层通过结构锚点与衬底层的衬底锚点电连接，所述封盖层通过玻璃浆与所述衬底层真空封装一体。本实用新型具有传感器结构层直接与集成电路衬底形成电连接，避免了外界噪声对器件性能的干扰，同时，传感器本身的各个引脚间的耦合干扰也会大幅度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 封装 cmos mems 芯片 | ||
【主权项】：
一种真空封装的CMOS和MEMS芯片，其特征在于，包括：集成电路衬底层，在所述集成电路衬底层的表面设置有集成电路功能模块，在集成电路功能模块的表面设置有多个衬底锚点、用于增加真空封装稳定性的金属框架、使衬底层接地的电连接通孔以及外接引脚；结构层，在结构层的表面刻蚀有凹槽，并设置多个用于与衬底锚点电连接的结构锚点以及用于分解外力、划片对准标记的支撑锚点；以及封盖层，其上刻蚀有封盖凹槽，在所述封盖凹槽内生长有氧化硅材料层，在封盖层的两端设置有图形化的玻璃浆；结构层通过结构锚点与衬底层的衬底锚点电连接，所述封盖层通过玻璃浆与所述衬底层真空封装一体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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