[实用新型]局部蚀刻装置有效
申请号: | 201320416395.4 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN203482505U | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 曾子章;刘文芳;张启民 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/06 | 分类号: | H05K3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 实用新型公开一种局部蚀刻装置,其适于对物体进行局部蚀刻。局部蚀刻装置包括局部蚀刻槽以及喷洒单元。局部蚀刻槽适于容置物体,并具有蚀刻有效区。喷洒单元可移动地设置于蚀刻有效区,并位于物体的上方。喷洒单元包括多个喷嘴,以对物体喷洒蚀刻液。各喷嘴具有控制阀,各控制阀独立控制对应的喷嘴,且各该喷嘴沿倾斜方向设置并与垂直方向夹有锐角。 | ||
搜索关键词: | 局部 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
一种局部蚀刻装置,适于对物体进行局部蚀刻,其特征在于,该局部蚀刻装置包括:局部蚀刻槽,用于容置该物体,并具有蚀刻有效区;以及喷洒单元,可移动地设置于该蚀刻有效区,并位于该物体的上方,该喷洒单元包括多个喷嘴,以对该物体喷洒蚀刻液,各该喷嘴具有控制阀,各该控制阀独立控制对应的喷嘴,且各该喷嘴沿倾斜方向设置并与垂直方向夹有第一锐角。
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