[实用新型]密封结构、反应腔室和半导体处理设备有效
申请号: | 201320425745.3 | 申请日: | 2013-07-17 |
公开(公告)号: | CN203429246U | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 党志泉;周卫国 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100026 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种密封结构、反应腔室和半导体处理设备,涉及半导体设备领域,现有密封圈受热容易损坏失效的问题。本实用新型一种密封结构,包括通过密封圈密封的第一结构与第二结构,还包括密封圈冷却结构,所述密封圈冷却结构包括:风冷输气管和风冷导气孔;所述风冷导气孔的一端与所述风冷输气管相导通,另一端形成多个风冷出气口,所述风冷出气口的位置位于所述密封圈内侧。冷却气体通过风冷输气管导入,经风冷导气孔流向密封圈,对密封圈进行冷却。 | ||
搜索关键词: | 密封 结构 反应 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种密封结构,包括密封圈,通过密封圈密封的第一结构与第二结构,其特征在于,还包括密封圈冷却结构,所述密封圈冷却结构包括:风冷输气管和风冷导气孔;所述风冷导气孔的一端与所述风冷输气管相导通,另一端形成多个风冷出气口,所述风冷出气口的位置位于所述密封圈内侧。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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