[实用新型]用于保护过压保护元件的过流保护装置有效
| 申请号： | 201320426940.8 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN203747397U | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | R.杜尔特;J-E.施穆茨 | 申请（专利权）人： | 菲尼克斯电气公司 |
| 主分类号： | H02H7/24 | 分类号： | H02H7/24;H02H3/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈浩然;傅永霄 |
| 地址： | 德国勃*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于保护过压保护元件(2)的过流保护装置，其带有熔断元件(4)，该熔断元件(4)关联有I2t值(A)，其特征在于，熔断元件(4)并联联结有部件(5)，其中部件(5)关联有I2t值(B)，该I2t值(B)大于熔断元件(4)的I2t值(A)，使得与经由熔断元件(4)相比较经由部件(5)可传导更大的I2t，且熔断元件(4)和部件(5)如此地设计，即使得带有高频部分和高I2t值的、短而相对高的脉冲电流基本上仅流动经过部件(5)，而低频电流尤其通常的低压电网的电流仅流动经过熔断元件(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 保护 元件 保护装置 | ||
【主权项】：
一种过流保护装置，尤其用于保护过压保护元件(2)，该过流保护装置带有熔断元件(4)，该熔断元件(4)关联有I2t值(A)，其特征在于，与所述熔断元件(4)并联联结有部件(5)，其中所述部件(5)关联有I2t值(B)，该I2t值(B)大于所述熔断元件(4)的I2t值(A)，使得与经由所述熔断元件(4)相比经由所述部件(5)可传导更大的I2t，且所述熔断元件(4)和所述部件(5)如此地设计，即使得带有高频部分和高I2t值的短而相对高的脉冲电流基本上仅流动经过所述部件(5)，而低频电流尤其为通常的低压电网的电流仅流动经过所述熔断元件(4)。
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