[实用新型]一种新型的异质结太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种新型的异质结太阳能电池，其中，超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层，该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层，每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上，最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上；浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上；超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层，该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层，每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上，最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上。本实用新型不仅能够提高电池的开路电压和填充因子，从而提高转换效率，而且能够有效地降低成本。

主权项

一种新型的异质结太阳能电池，其特征在于，它包括：一P型单晶硅衬底，其具有一正面和一背面；一欧姆接触层，位于P型单晶硅衬底的背面上；一超晶格结构P+层，包括至少两层沉积在一起的P+复合层，该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层，P+窄禁带层的禁带宽度Eg1＜1.2eV，P+宽禁带层的禁带宽度Eg2＞1.5eV，并且每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上，最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上；一浅掺杂P型层，其沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上；一钝化层，其沉积在浅掺杂P型层的上表面上；一超晶格结构N型层，包括至少两层沉积在一起的N型复合层，该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层，N型窄禁带层的禁带宽度Eg3＜1.2eV，N型宽禁带层的禁带宽度Eg4＞1.5eV，并且每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上，最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上；一透明导电膜层，其沉积在最上层N型复合层的N型窄禁带层的上表面上；一电极层，其位于透明导电膜层的上表面上。