[实用新型]一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件有效

专利信息
申请号: 201320444473.1 申请日: 2013-07-24
公开(公告)号: CN203350214U 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 胡明;李明达;曾鹏;马双云;闫文君 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 张宏祥
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件,硅基片衬底为n型单面抛光的单晶硅基片,硅基片衬底的上面依次设置有多孔硅层、氧化钨薄膜和铜薄膜,铜薄膜的上表面设置有铂电极正极和铂电极负极。本实用新型可在室温工作,且对超低浓度(ppb级)的氮氧化物气体具有很高的选择性,可以实现高灵敏度的可逆快速探测;其体积小巧、使用方便,重复性强,有望在氮氧化物气体传感器领域获得推广应用。
搜索关键词: 一种 室温 工作 性能 氧化物 元件
【主权项】:
一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件,包括硅基片衬底、多孔硅层和铂电极,其特征在于,所述硅基片衬底(1)为n型单晶硅基片,硅基片衬底(1)的上面设置有多孔硅层(2),多孔硅层(2)上表面设置有氧化钨薄膜(3),氧化钨薄膜(3)的上面设置有铜薄膜(4),铜薄膜(4)的上表面设置有铂电极正极(5)和铂电极负极(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320444473.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top