[实用新型]一种GaN基LED外延片有效
| 申请号： | 201320444737.3 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN203434181U | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈飞 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种GaN基LED外延片，其中该GaN基LED外延片包括：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的本征GaN层；形成在所述本征GaN层之上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层之上的量子阱层；形成在所述量子阱层之上的第一超晶格结构层；形成在所述第一超晶格结构层之上的低温P型GaN层；形成在所述低温P型GaN层之上的电子阻挡层；以及形成在所述电子阻挡层之上的P型GaN层。本实用新型的GaN基LED外延片具有驱动电压低，内量子效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的本征GaN层；形成在所述本征GaN层之上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层之上的量子阱层；形成在所述量子阱层之上的第一超晶格结构层；形成在所述第一超晶格结构层之上的低温P型GaN层；形成在所述低温P型GaN层之上的电子阻挡层；以及形成在所述电子阻挡层之上的P型GaN层。
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