[实用新型]阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201320444992.8 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN203455564U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李婧;刘芳 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，减小了薄膜晶体管单元的导电沟道的沟道长度，同时提高了像素的开口率。该阵列基板包括包括：衬底基板及位于所述衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元，其中，所述薄膜晶体管单元包括：位于所述衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层，与所述第一栅极同层设置的源极，位于所述源极之上的有源层，位于有源层之上的漏极，所述第一栅极和所述源极之间设置有栅极绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板及位于所述衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元，其中， 所述薄膜晶体管单元包括：位于所述衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层，与所述第一栅极同层设置的源极，位于所述源极之上的有源层，位于有源层之上的漏极，所述第一栅极和所述源极之间设置有所述栅极绝缘层。
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