[实用新型]一种碳化硅薄膜生长设备

摘要

本实用新型公开了一种碳化硅薄膜生长设备，其包括载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统；其中，所述载气装置与液态源装置、生长室和旁路相连通；所述液态源装置与所述生长室和旁路相连通；所述生长室与所述真空系统相连通，且上述各部件之间的连接可单独关闭和打开；其中，所述液态源装置包括四个液态源瓶，分别装有用于生长碳化硅薄膜的碳源、硅源、N型杂质源和P型杂质源；所述载气用于稀释以及输运生长源，直接通过主管道进入生长室。所述旁路可以单独打开或关闭，从而控制生长室气源进而控制薄膜生长；所述与载气装置相连接的旁路输运气量与主管道载气量相当，使所述与液态源装置相连接的旁路在切换过程中不至于影响生长室压力。

主权项

一种碳化硅薄膜生长设备，其特征在于，包括载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统；其中，所述载气装置与液态源装置、生长室和旁路相连通；所述液态源装置与所述生长室和旁路相连通；所述生长室与所述真空系统相连通，且上述各部件之间的连接可单独关闭和打开；其中，所述液态源装置包括四个液态源瓶，分别装有用于生长碳化硅薄膜的碳源、硅源、N型杂质源和P型杂质源。