[实用新型]一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器有效
| 申请号： | 201320447028.0 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN203382855U | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 陈颖超;翟喜人;李磊;吕云安 | 申请（专利权）人： | 新乡市神舟晶体科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B35/00 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人： | 吕振安 |
| 地址： | 453000 河南省新乡市南环*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，本实用新型的目的是设计一种能够有效提升GaAs晶体产品质量的用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器。本实用新型的技术方案是，一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，它包括加热器，保温罩，在保温罩内设有加热器，位于上部的加热器与位于下部的加热器套接，两个相邻的加热器的连接部位部分重叠，在加热器内壁设置有匀热管。本实用新型结构合理，使用效果好，能够大大的提高了GaAs晶体生长的成晶率和GaAs晶体的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 gaas 晶体生长 套筒 石墨 加热器 | ||
【主权项】：
一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，它包括加热器，保温罩，其特征在于：在保温罩内设有加热器，位于上部的加热器与位于下部的加热器套接，两个相邻的加热器的连接部位部分重叠，在加热器内壁设置有匀热管。
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