[实用新型]具有球形内凹状表面陷光结构的减反射层有效
申请号: | 201320448784.5 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN203553177U | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 梁元敏;曾海峰;钟福回;吴明想;梁月娟;莫计娇;孙超卫;程子峰;黄俊;杨晓军 | 申请(专利权)人: | 阳江市汉能工业有限公司;阳江汉能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0232 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 529533 广东省阳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型是一种具有球形内凹状表面陷光结构的减反射层。该减反射层具有表面陷光结构,且该表面陷光结构为球形内凹状排列。上述表面陷光结构的球形内凹状排列的形貌大小为单一或多尺度。本实用新型的球形内凹状结构相对于平面结构,可增大光吸收的表面积,陷光效果良好。且本实用新型的其球形内凹状结构相对于其他绒面结构,由于圆弧球体具有360度的面向性,能在光线方向不确定的情况下,始终有一个方向吸收垂直方向的光线。 | ||
搜索关键词: | 具有 球形 内凹状 表面 结构 反射层 | ||
【主权项】:
一种具有球形内凹状表面陷光结构的减反射层,其特征在于该减反射层具有表面陷光结构,且该表面陷光结构为球形内凹状排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的