[实用新型]一种肖特基特性自整流阻变存储器有效
| 申请号： | 201320459034.8 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN203415628U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 许积文;何玉汝;王华;戴培邦 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L27/28;H01L51/00 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 刘梅芳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本实用新型不仅保持器件具有较好的双极性存储功能，而且增加了存储器的自整流功能，可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题，其自整流功能具有肖特基特性，较之pn结自整流阻变存储器，具有肖特基二极管带来的开关速度快，开关损耗小等一切优点，降低了功耗，提高了读写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 特性 整流 存储器 | ||
【主权项】：
一种肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，其特征在于：所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI‑MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。
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