[实用新型]一种高电流上升率的晶闸管芯片有效
| 申请号： | 201320460964.5 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN203415581U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王民安;王日新;汪杏娟;叶民强;黄富强;项建辉 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/04;H01L29/74 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 杨大庆 |
| 地址： | 245600 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高电流上升率的晶闸管芯片，包括N型硅单晶片构成的长基区N，在长基区N的两侧设置有短基区P1、P2，在短基区P2上设置有阴极发射区、短路点和门极区；所述短基区P1上设置有背面金属层，阴极发射区和门极区上设置有正面金属层；所述的门极区设置在阴极发射区的中心位置，在门极区和阴极发射区间设置有隔离环；所述门极区包括用于焊接引线的焊接区以及与该焊接区相连的长条型延长区。本实用新型能增加门极触发阴极发射区的导通面积，在不增加门极触发功率的条件下达到提高晶闸管的电流上升率di/dt值，同时能够防止门极区周边的阴极区烧毁。可广泛应用于晶闸管芯片领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 上升 晶闸管 芯片 | ||
【主权项】：
一种高电流上升率的晶闸管芯片，包括N型硅单晶片构成的长基区N，在长基区N的两侧设置有短基区P1、P2，在短基区P2上设置有阴极发射区（1）、短路点（8）和门极区（2）；所述短基区P1上设置有背面金属层（3），阴极发射区（1）和门极区（2）上设置有正面金属层（4）；其特征在于：所述的门极区（2）设置在阴极发射区（1）的中心位置，在门极区（2）和阴极发射区（1）间设置有隔离环（5）；所述门极区（2）包括用于焊接引线的焊接区（21）以及与该焊接区相连的长条型延长区（22）。
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