[实用新型]基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管有效
| 申请号： | 201320462912.1 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN203351611U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王俊龙;冯志红;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;房玉龙;吕元杰;顾国栋;张雄文 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/08;H01L29/20 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管，属于半导体器件领域。本实用新型自下而上包括衬底、缓冲层和GaN层，在GaN层上设有渐变组分AlGaN层、与渐变组分AlGaN层横向结构形成的欧姆接触金属层和肖特基接触金属层，所述渐变组分AlGaN层的Al组分非均匀分布。该二极管与普通HEMT材料结构的二极管相比，有源区采用渐变组分AlGaN，减弱了由于电子聚集引起的可靠性问题；与硅掺杂形成N-/N+高低浓度结构的GaN肖特基二极管相比，本实用新型的串联电阻较小；与GaAs肖特基二极管相比，在同等肖特基结面积的情况下，可以承受更大的输入功率，且散热性能增强；与普通HEMT材料结构的二极管相比，本实用新型电容的非线性更强，更加适合作为变容器件，且器件结构简单，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 极化 掺杂 gan 横向 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管，其特征在于自下而上包括衬底（107）、缓冲层（106）和GaN层（105），在GaN层（105）上设有渐变组分AlGaN层（102）、与渐变组分AlGaN层（102）横向结构形成的欧姆接触金属层（101）和肖特基接触金属层（103），欧姆接触金属层（101）和肖特基接触金属层（103）位于渐变组分AlGaN层（102）的两侧，所述渐变组分AlGaN层（102）的Al组分为非均匀分布。
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