[实用新型]太阳电池阵抗辐照玻璃盖片有效
申请号: | 201320474524.5 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN203398137U | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 赵宇;肖志斌;铁剑锐;许军 | 申请(专利权)人: | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种太阳电池阵抗辐照玻璃盖片,包括串联成一体的复数个单体玻璃盖片;单体玻璃盖片包括蒸镀在玻璃衬底一面的氟化镁薄膜,其特点是:氟化镁薄膜上蒸镀烧结有纳米级ITO薄膜,ITO薄膜两角处蒸镀有多层结构电极。本实用新型通过全自动电子束加热真空蒸镀机,在氟化镁薄膜上蒸镀出纳米级厚的ITO薄膜,在400-1800nm波段内平均光谱透过率接近93%,既保护了电池阵不受恶劣环境侵害,起到抗辐照的作用,又不会降低电池阵光电转换效率;通过烧结对ITO薄膜进行退火处理,ITO薄膜不脱落;采用钛-钯-银多层金属化电极结构,大幅提高了电极的抗拉力强度,确保了太阳电池阵在各种复杂环境中工作的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 辐照 玻璃 | ||
【主权项】:
太阳电池阵抗辐照玻璃盖片,包括通过汇流条串联成一体的复数个单体玻璃盖片,相邻单体玻璃盖片之间连接互联条;所述单体玻璃盖片包括蒸镀在长方形玻璃衬底一面的氟化镁薄膜,其特征在于:氟化镁薄膜上蒸镀烧结有纳米级ITO薄膜,ITO薄膜两角处蒸镀有多层结构电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的