[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 201320477988.1 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN203690303U | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 柳青;N·劳贝特;P·卡雷;S·波诺斯;M·维纳特;B·多丽丝 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司;法国原子能及替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的实施例涉及一种电子器件，包括：衬底；覆盖所述衬底的掩埋氧化物层；覆盖所述掩埋氧化物层的至少一个半导体器件；以及在所述衬底中并且与所述至少一个半导体器件相邻的至少一个浅沟槽隔离区域，所述至少一个浅沟槽隔离区域与所述衬底限定侧壁表面并且包括：对所述侧壁表面的底部分加衬的氧化物层，对所述侧壁表面的在所述底部分以上的顶部分加衬的氮化物层，以及在所述氮化物层和所述氧化物层内的绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，其特征在于，包括：衬底；覆盖所述衬底的掩埋氧化物层；覆盖所述掩埋氧化物层的至少一个半导体器件；以及在所述衬底中并且与所述至少一个半导体器件相邻的至少一个浅沟槽隔离区域，所述至少一个浅沟槽隔离区域与所述衬底限定侧壁表面并且包括：对所述侧壁表面的底部分加衬的氧化物层，对所述侧壁表面的在所述底部分以上的顶部分加衬的氮化物层，以及在所述氮化物层和所述氧化物层内的绝缘材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体公司;国际商业机器公司;法国原子能及替代能源委员会，未经意法半导体公司;国际商业机器公司;法国原子能及替代能源委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320477988.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳电池的正面栅状金属电极结构
- 下一篇：一种增加显色指数的LED灯
- 同类专利
- 专利分类
