[实用新型]硅基射频滤波电容排有效
| 申请号： | 201320486563.7 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN203445115U | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王绍东;蒋赞勤;朴贞真;吴洪江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅基射频滤波电容排，属于半导体器件领域。本实用新型自下而上包括下电极、低阻硅衬底、薄膜介质和上电极；所述上电极由一系列独立的电极条组成，所述电极条呈条状并列纵贯于薄膜介质上，下电极可通过金锡烧结或导电胶粘接实现接地，上电极的各个线条的两端可以通过键合工艺连接到外围其他电路，实现对地并联的高频滤波功能。本实用新型在硅基上集成电极条，电极条的端口与常用的微波控制电路芯片端子相对应，可作为微波电路与控制电路芯片的过渡元件，特别适合为多芯片微波组件中的幅相控制电路做滤波，并很好实现滤波性能；本实用新型还可以明显降低射频信号引入的干扰，在多通道组件中能够提高通道的隔离度。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 滤波 电容 | ||
【主权项】：
一种硅基射频滤波电容排，其特征在于自下而上包括下电极（4）、低阻硅衬底（3）、薄膜介质（1）和上电极；所述上电极由一系列独立的电极条（2）组成，所述电极条（2）呈条状并列纵贯于薄膜介质（1）上，所述电极条（2）的端口A和端口B分别位于薄膜介质（1）相对的两端。
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