[实用新型]多芯片无引线组件

摘要

本申请涉及多芯片无引线组件，包括：具有多个电极的集成电路；具有第一和第二源极、第一和第二栅极和公共漏极的双沟道MOSFET；具有多个引线的引线框架，每个引线在组件的外底表面上有暴露的接触表面，每个引线用于将电功率传送入集成电路和双沟道MOSFET，或将电信号传送入或传送出集成电路和双沟道MOSFET；密封绝缘树脂，将引线框架、集成电路和双沟道MOSFET嵌入到组件中，并在组件的外底表面上限定引线的暴露的接触表面；第一和第二引线分别被连接到集成电路的第一和第二电极以及一个和另一双沟道MOSFET的栅极，第三和第四引线分别被连接到集成电路的第三和第四电极以及一个和另一个双沟道MOSFET的源极。

主权项

一种多芯片无引线组件，其特征在于，包括： 具有多个电极的集成电路； 具有第一和第二源极、第一和第二栅极和公共漏极的双沟道MOSFET； 具有多个引线的引线框架，每个引线在所述组件的外底表面上有暴露的接触表面，每个引线用于将电功率传送入所述集成电路和所述双沟道MOSFET，或用于将电信号传送入或传送出所述集成电路和所述双沟道MOSFET； 密封绝缘树脂，其将所述引线框架、所述集成电路和所述双沟道MOSFET嵌入到组件中，并在所述组件的所述外底表面上限定出所述引线的暴露的接触表面； 其中，第一引线被连接到所述集成电路的第一电极和一个双沟道MOSFET的栅极，第二引线被连接到所述集成电路的第二电极和另一个双沟道MOSFET的栅极，第三引线被连接到所述集成电路的第三电极和所述双沟道MOSFET之一的源极，第四引线被连接到所述集成电路的第四电极和另一个双沟道MOSFET的源极。