[实用新型]一种高光效氮化镓基发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201320492883.3 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN203367349U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张向飞;刘坚 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 谢观素 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高光效氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），其特征在于：所述二氧化硅保护层（5）的厚度为0.07μm，本发明有效解决传统氮化镓基发光二极管芯片的二氧化硅保护层厚度设置不合理，从而导致发光二极管的发光效率差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高光效 氮化 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种高光效氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），其特征在于：所述二氧化硅保护层（5）的厚度为0.07μm。
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