[实用新型]一种发光二极管外延片接触层有效
| 申请号： | 201320492901.8 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN203367348U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 芦玲;张向飞;钱仁海;刘坚 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 谢观素 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管外延片接触层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、N—SLS层（4）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述P型GaN层（6）上方设置有掺硅InGaN层（7）构成的接触层，本实用新型有效解决传统外延片的接触层为掺镁的InGaN层构成，从而发光二极管的Vf电压上升，从而降低发光二极管的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 接触 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片接触层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、N—SLS层（4）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述P型GaN层（6）上方设置有掺硅InGaN层（7）构成的接触层。
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