[实用新型]低噪声放大器有效
| 申请号： | 201320494747.8 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN203377844U | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 黄清华;王宇晨;陈高鹏 | 申请（专利权）人： | 锐迪科创微电子（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 杨颖;张金芝 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区知*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及无线通信技术领域，公开了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器采用共源共栅结构，包括一个跟随电容，所述跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。本实用新型通过在共源结构MOS管的栅极和参考地之间设置一个跟随电容，并折中优化其电容值来提高线性度。本实用新型的电路结构简单，功耗降低，能够有效提高输入三阶交调点IIP3，提高低噪声放大器的增益，而对接收系统中后级的噪声系数不产生影响，进而改善了线性度，能够从整体上优化低噪声放大器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种低噪声放大器，采用共源共栅结构，其特征在于，所述低噪声放大器中包括一个跟随电容，所述跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。
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