[实用新型]低成本、高适用性共晶装片半导体芯片背面金属化结构有效
| 申请号： | 201320501697.1 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN203456442U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 叶新民;王文源;袁昌发;冯东明;王新潮 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种低成本、高适用性共晶装片半导体芯片背面金属化结构，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。所述结构是在背面衬底硅片（6）表面按顺序依次镀上第一金属层（1）、第二金属层（2）、第三金属层（3）、第四金属层（4）和第五金属层（5），所述第一金属层（1）是钛、钒或铬，第二金属层（2）是铝，第三金属层（3）是镍，第四金属层（4）是锡、锡铜或锡银，第五金属层（5）是银。本实用新型结构能降低芯片背面金属化成本及提高产品的适用范围，本实用新型可以代替目前所有适用于共晶装片的背面金属化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 低成本 适用性 共晶装片 半导体 芯片 背面 金属化 结构 | ||
【主权项】：
一种低成本、高适用性共晶装片半导体芯片背面金属化结构，其特征在于：所述结构是在背面衬底硅片（6）表面按顺序依次镀上第一金属层（1）、第二金属层（2）、第三金属层（3）、第四金属层（4）和第五金属层（5），所述第一金属层（1）是钛、钒或铬，第二金属层（2）是铝，第三金属层（3）是镍，第四金属层（4）是锡、锡铜或锡银，第五金属层（5）是银。
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