[实用新型]一种耐冲击的半导体封装结构有效
| 申请号： | 201320512977.2 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN203456433U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 苏攀;游平 | 申请（专利权）人： | 江西创成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 343000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及的一种耐冲击的半导体封装结构，包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层和环氧树脂层，氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，环氧树脂层覆盖氟硅橡胶层，氟硅橡胶层的厚度范围为0.5毫米到2毫米。本实用新型产生的有益效果是：采用氟硅橡胶层位于被封装半导体器件和环氧树脂层之间，可以起到耐冲击的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冲击 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种耐冲击的半导体封装结构，其特征在于：所述耐冲击的半导体封装结构包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层和环氧树脂层，所述氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，所述环氧树脂层覆盖氟硅橡胶层，所述氟硅橡胶层的厚度范围为0.5毫米到2毫米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西创成半导体有限公司，未经江西创成半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320512977.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种穿戴式半导体封装结构
- 下一篇：船用折叠式挡篷
