[实用新型]一种含有纳米材料的半导体封装结构有效
| 申请号： | 201320513476.6 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN203456435U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 苏攀;王雪松 | 申请（专利权）人： | 江西创成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 343000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及的一种含有纳米材料的半导体封装结构，包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、纳米陶瓷层、纳米银粉层和环氧树脂层，氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，纳米陶瓷层覆盖氟硅橡胶层，纳米银粉层覆盖纳米陶瓷层，环氧树脂层覆盖纳米银粉层，纳米陶瓷层的厚度范围为0.4毫米到1.5毫米。本实用新型产生的有益效果是：采用纳米陶瓷层，在火烧的过程中，纳米陶瓷层会起到隔绝火焰的作用，避免半导体直接受到火焰烧灼，起到保护被封装半导体器件的作用，采用纳米银粉层，可以起到电磁屏蔽的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 纳米 材料 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种含有纳米材料的半导体封装结构，其特征在于：所述含有纳米材料的半导体封装结构包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、纳米陶瓷层、纳米银粉层和环氧树脂层，所述氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，所述纳米陶瓷层覆盖氟硅橡胶层，所述纳米银粉层覆盖纳米陶瓷层，所述环氧树脂层覆盖纳米银粉层，所述纳米陶瓷层的厚度范围为0.4毫米到1.5毫米。
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