[实用新型]硅平面NPN与PNP对称晶体管有效
| 申请号： | 201320515407.9 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN203707131U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 吴炳刚 | 申请（专利权）人： | 沈阳飞达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110032 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型专利公开了一种硅平面NPN与PNP对称晶体管包括衬底和晶体管，其中晶体管为NPN和PNP，NPN晶体管与PNP晶体管对称排列在衬底上，NPN三极管的集电极与PNP三极管的基极连接在一起，NPN三级管的基极与PNP三极管的发射极连接在一起，而NPN三极管的发射极与PNP三极管的集电极连接在一起。该晶体管在制造节能灯的线路板时可以直接使用本实用新型的晶体管，而不需分别将两个三极管焊接在相应的位置上，因此节约了制造成本和生产时间。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 npn pnp 对称 晶体管 | ||
【主权项】：
一种硅平面NPN与PNP对称晶体管，其特征在于，包括衬底和晶体管，其中晶体管为NPN和PNP，NPN晶体管与PNP晶体管对称排列在衬底上，NPN三极管的集电极与PNP三极管的基极连接在一起，NPN三级管的基极与PNP三极管的发射极连接在一起，而NPN三极管的发射极与PNP三极管的集电极连接在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
