[实用新型]硅平面二极管阵列有效
| 申请号： | 201320515408.3 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN203445116U | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 吴炳刚 | 申请（专利权）人： | 沈阳飞达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/44;H01L33/52;H01L27/102 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110032 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅平面二极管阵列包括基板和二极管阵列，将二极管阵列塑封在金属陶瓷管内通过粘结层将二极管阵列粘接在基板上。该硅平面二极管阵列，结构简单，二极管阵列塑封在金属陶瓷管内确保其电气特性不受影响，还设有涂层可以清楚显示二极管阵列工作参数，方便正确使用。 | ||
| 搜索关键词： | 平面二极管 阵列 | ||
【主权项】：
一种硅平面二极管阵列，其特征在于，包括基板和二极管阵列，将二极管阵列塑封在金属陶瓷管内通过粘结层将二极管阵列粘接在基板上。
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