[实用新型]氧化物半导体薄膜晶体管基板有效
| 申请号： | 201320516839.1 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN203423181U | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 张锡明 | 申请（专利权）人： | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/50;H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氧化物半导体薄膜晶体管基板，包含基板、源极及漏极、图案化透明导电层、氧化物半导体层、栅极及栅介电层。源极及漏极位于基板上；图案化透明导电层包含第一透明电极、第二透明电极及像素电极；第一及第二透明电极分别覆盖源极的上表面及漏极的上表面；像素电极连接漏极；氧化物半导体层接触第一及第二透明电极；栅介电层夹设于氧化物半导体层与栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜晶体管基板,其特征在于，包含：一基板；一源极及一漏极，位于该基板上；一图案化透明导电层，包含一第一透明电极、一第二透明电极及一像素电极，该第一及该第二透明电极分别覆盖该源极的上表面及该漏极的上表面，该像素电极连接该漏极；一氧化物半导体层，接触该第一及该第二透明电极；一栅极；以及一栅介电层，夹设于该氧化物半导体层与该栅极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司，未经华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320516839.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
