[实用新型]一种新型的稳压器电路结构有效
申请号: | 201320523195.9 | 申请日: | 2013-08-26 |
公开(公告)号: | CN203405751U | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 胡浩 | 申请(专利权)人: | 成都星芯微电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人: | 杨春 |
地址: | 610000 四川省成都市双*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种新型的稳压器电路结构,包括偏置电流源、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、二极管和电容,本实用新型提供了一种简单、经济、有效的新型稳压器电路结构,本电路结构具有降压稳压功能,不需要传统电路结构中的比较电压点,可以规避传统结构的上电时序问题,是一种自适应的降压稳压结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 稳压器 电路 结构 | ||
【主权项】:
一种新型的稳压器电路结构,其特征在于:包括偏置电流源、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、二极管和电容,所述偏置电流源的第一端同时与所述第三MOS管的衬底、第三MOS管的源极、第四MOS管的衬底、第四MOS管的源极、第六MOS管的衬底和第六MOS管的源极连接,所述偏置电流源的第二端同时与所述第一MOS管的漏极、第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极连接,所述第一MOS管的衬底同时与所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的衬底、所述第二MOS管的源极、所述二极管的负极和所述电容的第一端连接,所述第二MOS管的漏极同时与所述第三MOS管的漏极、所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极连接,所述第四MOS管的漏极同时与所述第六MOS管的栅极和所述第五MOS管的漏极连接,所述第五MOS管的源极与所述二极管的正极连接,所述第五MOS管的栅极同时与所述第六MOS管的漏极和所述电容的第二端连接,所述偏置电流源的第一端为所述稳压器电路结构的VDD端,所述二极管的负极为所述稳压器电路结构的接地端,所述第五MOS管的栅极为所述稳压器电路结构的输出端。
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