[实用新型]三相全桥快恢复整流模块有效

专利信息
申请号: 201320538135.4 申请日: 2013-09-02
公开(公告)号: CN203481216U 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 刘宏伟 申请(专利权)人: 青岛航天半导体研究所有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L25/16;H01L25/07
代理公司: 山东重诺律师事务所 37228 代理人: 张春霞;刘衍军
地址: 266021 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 相全桥快恢复整流模块,在壳体的底板上烧结隔离基片;在基片上烧结第一钼片、第二钼片、第三钼片;在第一钼片上焊接三个第一芯片,在三个第二钼片上三个第二芯片;三个第一芯片分别与三个第二钼片焊接连接桥进行电连接;三个第二芯片与第三钼片焊接连接桥进行电连接;壳体侧板上设有内装陶瓷隔片的插孔,直流接线端子穿过陶瓷隔片分别与第一钼片、第三钼片上的引线连接;交流接线端子穿过陶瓷隔片与第二钼片上的引线连接。其优点是:外形小、耐压高、频率高、大电流、散热性好,能耐高冷热剧变等特点,适合于在高压、高频、恶劣环境下对三相交流电进行整流,采用全金属密封外壳,绝缘电压大于2000V,壳盖与壳体能耐更高的温度冲击。
搜索关键词: 三相 全桥快 恢复 整流 模块
【主权项】:
一种三相全桥快恢复整流模块,包括一壳体,其特征在于:在所述壳体的底板上,烧结一与所述底板电隔离的基片;在所述基片上,下部烧结第一钼片,中部烧结三个相同尺寸、间隔分布的第二钼片,上部烧结第三钼片;在所述第一钼片上,间隔均匀地焊接三个第一芯片,在所述三个第二钼片上,分别焊接三个第二芯片;所述三个第一芯片分别与所述三个第二钼片焊接连接桥,进行电连接;所述三个第二芯片与所述第三钼片焊接连接桥,进行电连接;在所述壳体的侧板上设置有插孔,所述插孔内设有陶瓷隔片;一直流接线端子穿过所述陶瓷隔片与焊接于所述第一钼片上的引线连接;另一直流接线端子穿过所述陶瓷隔片与焊接于所述第三钼片上的引线连接;三个交流接线端子穿过所述陶瓷隔片,分别与焊接于三个所述第二钼片上的引线连接。
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