[实用新型]厚膜高频微波衰减片有效
申请号: | 201320548929.9 | 申请日: | 2013-09-04 |
公开(公告)号: | CN203644916U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 徐勇军;王利;陈启玉;曹维常 | 申请(专利权)人: | 安徽斯迈尔电子科技有限公司 |
主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 方琦 |
地址: | 233400 安徽省蚌埠市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种厚膜高频微波衰减片,包括陶瓷基片,陶瓷基片的中部安装有一个或多个十字型的电阻片叠压构成的分布式集中网络的电阻,电阻的上下左右支脚端部均设有由银钯浆料直接涂覆烧结成的端电极,端电极表面密布有波浪形条纹,端电极的表面间隔分布有焊接触点,焊接触点呈半球形。本实用新型采用一个或多个十字型的电阻片叠压构成的电阻,即分布式集中电阻网络结构,使用频率更宽、衰减精度更高、驻波比更小、频响曲线更平坦,同时,端电极材料的选择和结构的设计,使得可焊性耐焊性俱佳,焊接方便。 | ||
搜索关键词: | 高频 微波 衰减 | ||
【主权项】:
一种厚膜高频微波衰减片,包括陶瓷基片,其特征在于:所述的陶瓷基片的中部安装有一个或多个十字形的电阻片叠压构成的分布式集中网络的电阻,所述的电阻的上下左右支脚端部均设有由银钯浆料直接涂覆烧结成的端电极,端电极表面密布有波浪形条纹,端电极的表面间隔分布有焊接触点,焊接触点呈半球形。
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