[实用新型]可编程存储单元有效
| 申请号： | 201320555215.0 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN203456098U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·斯密特;罗伊·米尔顿·卡尔森;陆勇;欧文·海因斯 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及可编程存储单元。一种可编程存储单元，包括：基板，包括原生掺杂注入区；厚氧化物隔离件晶体管，设置在所述原生掺杂注入区内的所述基板上；可编程薄氧化物抗熔丝，设置在与所述厚氧化物隔离件晶体管的第一侧相邻的所述基板上并位于所述基板的所述原生掺杂注入区内；以及第一厚氧化物存取晶体管和第二厚氧化物存取晶体管，设置在所述基板上，所述第一厚氧化物存取晶体管设置在所述厚氧化物隔离件晶体管的第二侧与所述第二厚氧化物存取晶体管之间。隔离件晶体管的横向距离降低了可能改变断裂部位的位置的影响，从而增加可编程存储单元的IV特性的均匀性。此外，第二厚氧化物存取晶体管的增设提供增加电压保护的好处。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种可编程存储单元，包括：基板，包括原生掺杂注入区；厚氧化物隔离件晶体管，设置在所述原生掺杂注入区内的所述基板上；可编程薄氧化物抗熔丝，设置在与所述厚氧化物隔离件晶体管的第一侧相邻的所述基板上并位于所述基板的所述原生掺杂注入区内；以及第一厚氧化物存取晶体管和第二厚氧化物存取晶体管，设置在所述基板上，所述第一厚氧化物存取晶体管设置在所述厚氧化物隔离件晶体管的第二侧与所述第二厚氧化物存取晶体管之间。
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