[实用新型]一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器有效

专利信息
申请号: 201320562128.8 申请日: 2013-09-11
公开(公告)号: CN203405752U 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 李景虎;张远燚;刘德佳 申请(专利权)人: 福建一丁芯光通信科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张宏威
地址: 350003 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器,属于集成电路领域,本实用新型为解决传统LDO稳压器是通过牺牲降落电压和效率来换取高频电源抑制改善的问题。本实用新型包括第一误差放大器A1、第二误差放大器A2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、滤波电阻RF、第一滤波电容CF、第二滤波电容CP、第一native NMOS晶体管MNA1、第二native NMOS晶体管MNA2和PMOS晶体管MP;第一误差放大器A1同相输入端连接参考电压VREF的输出端,第二native NMOS晶体管MNA2源极为LDO稳压器第一输出节点VOUT;第二误差放大器A2同相输入端连接第二输出节点VOUT_P。
搜索关键词: 一种 基于 native nmos 晶体管 电源 抑制 ldo 稳压器
【主权项】:
一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器,其特征在于,它包括第一误差放大器A1、第二误差放大器A2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、滤波电阻RF、第一滤波电容CF、第二滤波电容CP、第一native NMOS晶体管MNA1、第二native NMOS晶体管MNA2和PMOS晶体管MP;第一误差放大器A1的同相输入端连接参考电压VREF的输出端,第一误差放大器A1的反相输入端连接反馈节点VF1,电阻R2和电阻R3的公共节点作为反馈节点VF1;第一误差放大器A1的输出端VO_A1连接第一native NMOS晶体管MNA1的栅极;第一native NMOS晶体管MNA1的漏极连接电源VDD,第一native NMOS晶体管MNA1的源极连接电阻R1的一端;电阻R1的另一端连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接GND;第一误差放大器A1的输出端VO_A1还连接滤波电阻RF的一端,滤波电阻RF的另一端连接第一滤波电容CF的一端,第一滤波电容CF的另一端连接GND;滤波电阻RF和滤波电容CF的公共端VF连接第二native NMOS晶体管MNA2的栅极,第二native NMOS晶体管MNA2的漏极连接电源VDD;第二native NMOS晶体管MNA2的源极为LDO稳压器第一输出节点VOUT;电阻R1和电阻R2的公共节点连接第二误差放大器A2的反相输入端,第二误差放大器A2的同相输入端连接第二输出节点VOUT_P,第二误差放大器A2的输出端VO_A2同时连接PMOS晶体管MP的栅极和第二滤波电容CP的一端,第二滤波电容CP的另一端连接PMOS晶体管MP的漏极,PMOS晶体管MP的源极连接LDO稳压器第一输出节点VOUT。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建一丁芯光通信科技有限公司,未经福建一丁芯光通信科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320562128.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top