[实用新型]一种加厚型IC芯片有效
申请号: | 201320563351.4 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN203445109U | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 陆兆康 | 申请(专利权)人: | 澳康电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/31 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 高之波;邬玥 |
地址: | 中国香港沙田小沥源*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种加厚型IC芯片,包括自下而上依次设置的硅片层、外延层、铝层、钝化层以及阴极压焊点、阳极压焊点和参考端压焊点,所述的钝化层为双钝化层结构,其总厚度为2.5-3.5μm,所述阴极压焊点、阳极压焊点和参考端压焊点错开分布于IC芯片的同一边缘位置;所述双钝化层的至少有一层厚度为1.5μm;所述的阴极压焊点、阳极压焊点和参考端压焊点的形状为四边形。已经试调电阻网络的431芯片的多晶硅微欧级电阻在经封装处理过程中不受各种温度、压力变化的影响,同时提高IC芯片的档次;经过生产测试,采用本实用新型的技术方案得到的431芯片的Ⅰ档率达到93.44%,Ⅱ档率仅为5.96%,不存在Ⅲ档率的产品。 | ||
搜索关键词: | 一种 加厚 ic 芯片 | ||
【主权项】:
一种加厚型IC芯片,包括自下而上依次设置的硅片层、外延层、铝层、钝化层以及设置在钝化层上的阴极压焊点、阳极压焊点和参考端压焊点,其特征在于:所述的钝化层为双钝化层结构,其总厚度为2.5‑3.5μm。
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