[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320575197.2 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN203733786U | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 菊池卓;菊池隆文 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L25/07;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，提高将平面尺寸不同的多个半导体芯片层叠的半导体器件的各半导体芯片的设计自由度。该半导体器件，包括：布线基板，其具有第1面以及与所述第1面相反侧的第2面；第1半导体芯片；第2半导体芯片；第3半导体芯片；以及多个外部端子，其形成于所述布线基板的所述第2面，所述第3半导体芯片的平面尺寸大于所述第1半导体芯片的平面尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：布线基板，其具有第1面以及与所述第1面相反侧的第2面；第1半导体芯片，其具有：第1表面；形成于所述第1表面的多个第1表面电极；与所述第1表面相反侧的第1背面；以及多个第1背面电极，其形成于所述第1背面、并分别与所述多个第1表面电极电连接、且形成在俯视时与所述多个第1表面电极分别重叠的位置，该第1半导体芯片以所述第1表面与所述布线基板的所述第1面相对的方式搭载在所述布线基板的所述第1面上；第2半导体芯片，其具有：第2表面；多个第2表面电极，其形成于所述第2表面、并分别与所述多个第1背面电极电连接；与所述第2表面相反侧的第2背面；多个第2背面电极，其形成于所述第2背面并分别与所述多个第2表面电极电连接；多个贯通电极，其从所述第2表面和所述第2背面中的一个面贯通到另一个面；以及多条引出布线，其形成于所述第2表面或所述第2背面，将所述多个贯通电极与所述多个第2表面电极或所述多个第2背面电极电连接，该第2半导体芯片搭载在所述第1半导体芯片的所述第1背面上；第3半导体芯片，其具有：第3表面；形成于所述第3表面并分别与所述多个第2背面电极电连接的多个第3表面电极；以及与所述第3表面相反侧的第3背面，该第3半导体芯片以所述第3表面与所述第2半导体芯片相对的方式搭载在所述第2半导体芯片上；以及多个外部端子，其形成于所述布线基板的所述第2面，所述第3半导体芯片的平面尺寸大于所述第1半导体芯片的平面尺寸。
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