[实用新型]一种碳化硅外延生长反应室的顶盖有效
| 申请号： | 201320583082.8 | 申请日： | 2013-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN203462174U | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 冯淦;赵建辉 | 申请（专利权）人： | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 黄冠华 |
| 地址： | 361010 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种碳化硅外延生长反应室的顶盖，包括上顶盖和下顶盖，上顶盖中间设有第一通孔，下顶盖中间均设有第二通孔，第一通孔和第二通孔的中心线在同一直线上，所述下顶盖设有顶起装置，本实用新型顶起装置的设置，保证了在拆分上、下顶盖时更加方便，平头石墨螺栓的选择，保证了对上、下顶盖的无损拆分，同时保证螺栓在高温环境下不被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 生长 反应 顶盖 | ||
【主权项】：
一种碳化硅外延生长反应室的顶盖，包括上顶盖和下顶盖，其特征在于：所述上顶盖中间设有第一通孔，所述下顶盖中间设有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔的中心线在同一直线上，所述下顶盖设有顶起装置。
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