[实用新型]铁电/铁磁超晶格结构及其存储器件有效
| 申请号： | 201320599712.0 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN203521478U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 苗君;程学千;徐晓光;姜勇 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了铁电/铁磁超晶格结构及其存储器件。所述超晶格结构包括：单晶底层；位于单晶底层上由导电氧化物形成的底电极层；以及位于底电极层上由无铅压电陶瓷层和多铁薄膜层交替堆叠而形成的叠层，其中无铅压电陶瓷层和多铁薄膜层一起形成外延结构。所述存储器件包括上述的超晶格结构。这种超晶格结构可以广泛用于磁控、电控、磁电互控的铁电存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 铁磁超 晶格 结构 及其 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种铁电/铁磁超晶格结构，其特征在于，所述超晶格结构包括： 单晶底层； 位于单晶底层上由导电氧化物形成的底电极层；以及 位于底电极层上由无铅压电陶瓷层和多铁薄膜层交替堆叠而形成的叠层，其中无铅压电陶瓷层和多铁薄膜层一起形成外延结构。
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